快速熱處理退火爐，半導體RTP快速退火爐可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火，硅化物形成，歐姆接觸制備以及快速氧化，快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫，慢速升降溫功能

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更新時間：2025-09-16
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快速熱處理退火爐，半導體RTP快速退火爐簡介

快速退火爐（RTP）近年來得到越來越廣泛的應用。可用于硅及其他化合物材料離子注入后的退火，硅化物形成，歐姆接觸制備以及快速氧化，快速氮化等方面。該設(shè)備具有很好的長時間工作穩(wěn)定性以及快速升降溫，慢速升降溫功能，采用三回路閉環(huán)溫度控制，精確的溫度控制部件可適用于特殊工藝要求，工藝重復性高，也可用于鐵電膜的制備以及各種半導體材料CVD的熱處理。

JS-RTP系列快速熱處理退火爐為我公司根據(jù)客戶需求專業(yè)定制的熱處理設(shè)備，半導體RTP快速退火爐主要用于：快速燒結(jié)、快速退火等工藝。具有：溫度均勻、控制穩(wěn)定等特點，觸摸屏操作方式（設(shè)備小巧，節(jié)約空間）。

快速熱處理退火爐，半導體RTP快速退火爐主要技術(shù)參數(shù)

1、外型形式：臺式

2、樣品尺寸：2-8英寸

3、外部爐膛：合金鍍金爐膛

4、內(nèi)部爐膛：優(yōu)質(zhì)石英材質(zhì)、可拆下清洗，有進、出氣接口

5、加熱材質(zhì)：紅外線燈管加熱

6、顯示：觸摸屏或電腦式

7、溫度范圍：300-1000℃

8、控溫精度：±5℃

9、升溫速率：10℃-50℃/S可調(diào)

10、降溫速率：10℃-50℃/S不可調(diào)

11、降溫方式：水冷（冷水機或冷水管道＋氣冷）

12、工藝氣體：三路，一路氮氣、一路空氣、一路氧氣，配備質(zhì)量流量計，氣體流量自動調(diào)節(jié)
13、真空度：可達0.05torr（可選配）
14、真空系統(tǒng)：進口無油真空泵
15、保護系統(tǒng)：超溫保護，流量保護，計時控制，缺水報警等。

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